Välkommen till vår butik!

Detta utvecklingsverktyg för minnes-IC erbjuder pålitlig och effektiv datalagring för lågeffektsapplikationer. Skärmen är icke-flyktig och kan enkelt läsas eller skrivas upp till 10 biljoner gånger under normala förhållanden, vilket säkerställer långvarig prestanda. I likhet med dynamiskt slumpmässigt åtkomstminne (DRAM) har denna modul ett ferroelektriskt lager istället för ett dielektriskt lager, vilket ger tydliga fördelar för datalagring. Den är särskilt lämplig för användning med lågeffektsdataloggar och för att dämpa data i avsaknad av en stabil spänningskälla, vilket gör den till ett mångsidigt val för dina projekt. FRAM-chippet som används kan tillhandahålla 32KB minne och stödja en klockhastighet upp till 20 MHz. Varje byte kan läsas och skrivas omedelbart, samtidigt som data behålls i upp till 95 år vid rumstemperatur, vilket erbjuder pålitlig lagring under längre perioder.

Specifikation

Artikeltyp: Minnes-IC Utvecklingsverktyg

Adress: 1010 + A2 + A1 + A0

Standardvärde: 0 x 50

VCC/Logik: 2.7-5.5V

Paketlista

1 x Modul

1 x Stift

Tillfredsställelse: Våra kunder är vår högsta prioritet. Om du hittar några produktproblem efter att ha mottagit varorna, såsom skada och felaktig mängd varor, vänligen kontakta säljaren omedelbart. Vi gör vårt bästa för att ge dig tillfredsställande eftermarknadsservice.