5 kraftfulla N-kanals-MOSFET-transistorer för tillförlitlig koppling och reglering i elektroniska kretsar.

Fördelar

• Hög belastning upp till 100 V och 33 A
• Lågt på-resistansvärde på 44 mΩ
• Snabba omkopplingstider på 35 ns
• Robust TO-220-kapsel

Effektiv prestanda
N-kanals-MOSFET:en hanterar spänningar upp till 100 V och strömmar upp till 33 A. Det låga motståndet på 44 mΩ bidrar till minskade ledningsförluster och effektiv drift.

Snabb omkoppling
Med en stigtid och falltid på 35 ns passar transistorn för snabba kopplingsförlopp i nätaggregat, motorstyrningar och olika elektronikprojekt.

Robust konstruktion
TO-220-kapseln underlättar montering på kretskort och kylflänsar. Den maximala effektdissipationen på 130 W möjliggör god värmehantering med lämplig kylning.

Förpackningen innehåller

• 5 × N-kanals-MOSFET-transistor

Specifikationer

• Typ: N-kanals-MOSFET
• Drain-source-spänning: 100 V
• Drainström: 33 A
• På-resistans: 44 mΩ
• Gate-source-spänning: 20 V
• Stigtid: 35 ns
• Falltid: 35 ns
• Effektdissipation: 130 W
• Kapsel: TO-220
• Drifttemperatur: −55 °C till 175 °C